1.一种高阻隔性抑菌膜，其特征在于，包括依次层叠设置的聚乳酸层、SiOx沉积层以及壳聚糖层。 2.如权利要求1所述的高阻隔性抑菌膜，其特征在于，所述聚乳酸层、所述SiOx沉积层以及所述壳聚糖层的厚度比为30000～50000：90～120：300～700。 3.如权利要求2所述的高阻隔性抑菌膜，其特征在于，所述聚乳酸层、所述SiOx沉积层以及所述壳聚糖层的厚度比为40000:108.94:500。 4.一种如权利要求1至3任意一项所述的高阻隔性抑菌膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一聚乳酸层，在所述聚乳酸层的一侧形成SiOx沉积层； 在所述SiOx沉积层背离所述聚乳酸层的一侧形成壳聚糖层。 5.如权利要求4所述的高阻隔性抑菌膜的制备方法，其特征在于，所述提供一聚乳酸层，在所述聚乳酸层的一侧形成SiOx沉积层的步骤包括： 提供一聚乳酸层以及等离子增强化学气相沉积设备，所述等离子增强化学气相沉积设备包括反应室，将所述聚乳酸层置于所述反应室中，通入氩气吹扫以对所述聚乳酸层进行表面清洗后，抽真空到2～3Pa； 向所述反应室提供含硅气体和氧化气体，以在所述聚乳酸层的一侧反应形成SiOx沉积层。 6.如权利要求5所述的高阻隔性抑菌膜的制备方法，其特征在于，通入氩气吹扫以对所述聚乳酸层进行表面清洗的步骤包括：通入氩气至所述反应室内的气压达到13～16Pa，输入射频能进行放电至完成对所述聚乳酸层的表面清洗，其中，所述射频能的功率为30～50W，所述放电时间为4～6min。 7.如权利要求5所述的高阻隔性抑菌膜的制备方法，其特征在于，向所述反应室提供含硅气体和氧化气体，以在所述聚乳酸层的一侧反应形成SiOx沉积层的步骤包括： 向所述反应室内通入含硅气体和氧化气体，设置射频能的功率为90～110W，沉积速率为40～50nm/min，放电3～5min后，停止通入所述含硅气体，并持续输入射频能1～60s，以在所述聚乳酸层的一侧形成SiOx沉积层。 8.如权利要求5所述的高阻隔性抑菌膜的制备方法，其特征在于，所述含硅气体包括六甲基二硅氧烷，所述氧化气体包括氧气，且六甲基二硅氧烷和氧气的流量比为1：1.8～2.2。 9.如权利要求4所述的高阻隔性抑菌膜的制备方法，其特征在于，在所述SiOx沉积层背离所述聚乳酸层的一侧形成壳聚糖层的步骤包括： 将壳聚糖溶于水以形成壳聚糖溶液； 采用流延法将所述壳聚糖溶液覆于上述SiOx沉积层背离所述聚乳酸层的一侧，干燥形成壳聚糖层。 10.如权利要求9所述的高阻隔性抑菌膜的制备方法，其特征在于，所述壳聚糖溶液的质量分数为0.8～1.2％。
